沙特展示新技术：提升UV LED效能
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近日，沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）研究团队展示了纳米级氮化铝镓（AlGaN）发光装置。
现有的AlGaN发光装置，被认为是取代现有UV气体激光和含有有毒物质的UV灯的UV灯源。不过，由于装置中的UV激光二极体，电压至少要25伏特才能操作，加上电洞注入层效率不佳，导致串联电阻高，性能受限。这和AlGaN铝层的P型半导体涂层以及缺少有效的散热管道等有关。
研究人员以渐变折射率分布限制结构层（GRINSCH）装置，制作出。与原先的AlGaN磊晶薄膜层相比，纳米级AlGaN表面积对体积比高，形成有效的应力松弛，能直接在包括金属等基质上延展。金属和以矽或蓝宝石包复的金属基质，能在高电流操作过程，提供更好的散热管道。
纳米级P型半导体加入了镁，活化能需求低，因此电阻也相对较小。研究人员希望未来能将纳米级GRINSCH二极体应用在纳米高效能UV LED装置，像是激光、光感测器、调幅器以及积体光学相关装置上。
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